Polariseur Glan-Taylor 193 nm Utilise des cristaux biréfringents α-BBO séparés par un espace d'air pour éliminer les problèmes d'absorption des matériaux adhésifs dans l'UV profond. Les revêtements antireflets monocouches MgF₂ assurent une transmission élevée à 193 nm tout en conservant d'excellentes performances d'extinction. Conçu avec un seuil de dommage laser élevé, il est idéal pour un contrôle de polarisation de haute précision dans des applications telles que la lithographie laser excimère ArF et le traitement laser dans l'UV profond.
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Caractéristiques: Espace aérien Près de l'angle de coupe de Brewster Pureté de polarisation élevée Transmission ultraviolette profonde |
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Numéro d'article :
GTP-193Origine du produit :
FuZhouCaractéristiques:
| Matériel: | Matériaux ultraviolets profonds |
| Plage de longueurs d'onde : | 193,368 nm |
| Taux d'extinction : | <1x10-4 |
| Parallélisme: | <1 arc min |
| Qualité de surface : | 20/10 |
| Déviation du faisceau : | < 3 minutes d'arc |
| Distorsion du format d'onde : | 1/4 à 632,8 nm |
| Seuil de dommage : | >200 MW/cm2 |
Polariseur Glan Taylor 193 nm
| Numéro de pièce | Plage de longueurs d'onde (nm) | Taux d'extinction | Champ angulaire (°) | CA fa(mm) | Diamètre extérieur fd(mm) | L ±0,1(mm) |
| GTP4006 | 193.368 | <5x10-6 | >6.0 | 5.0 | 25,4 | 13.0 |
| GTP4008 | 6,5 | 25,4 | 14.0 | |||
| GTP4010 | 8.0 | 25,4 | 16.0 | |||
| GTP4013 | 10.0 | 25,4 | 20.0 | |||
| GTP4015 | 12.0 | 30,0 | 23,0 | |||
| GTP4020 | 18.0 | 38.1 | 28,0 | |||
| GTP4025 | 22.0 | 50,8 | 33,0 |
Les avantages techniques de Polariseur Glan-Taylor 193 nm:
Le polariseur Glan-Taylor 193 nm est composé de matériaux compatibles avec l'UV profond, offrant une absorption ultra-faible et une excellente transmittance à 193 nm, conservant ainsi précisément la direction de polarisation. Sa conception à entrefer évite les interférences d'absorption des adhésifs dans l'UV profond, et ses traitements antireflets dédiés réduisent les pertes par réflexion, ce qui est idéal pour les lasers UV profonds haute puissance.